Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Чип:-
Частота (MHz):DDR5 - 5600
Поддержка Reg:Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):8
Количество чипов на модуле:-
Габариты (мм):-
Расширенная операционная температура (Tcase):-
rusName:[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
967eff179969893821e8d21d3c0f7e56
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber