Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
784a74c55271f2914543c8361421a5ef
Описание
Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
Низкопрофильная
Нет
Радиатор
Нет
Подсветка
Нет
Производитель
Samsung
Количество контактов
288
Дополнительная информация
-
описание
Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
Row Precharge Delay (tRP)
-
Объем одного модуля (ГБ)
8
manufacturerCountry
Вьетнам
Модель
M323R1GB4DB0-CWM
Напряжение (В)
1.1
название
Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
Тип оборудования
Оперативная память
gtdNumber
10005030/021123/3290629/009
Тайминги
-
Чип
-
Частота (MHz)
DDR4 - 4800
Поддержка Reg
Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
-
Общий объем памяти (ГБ)
8
Количество чипов на модуле
-
Габариты (мм)
-
Расширенная операционная температура (Tcase)
-
rusName
[Модуль памяти] Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Потребление энергии
-
Линейка
-
сайт производителя
http://semiconductor.samsung.com
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Пропускная способность (МБ/с)
38400
Производитель
Samsung
Высота (мм)
-
Поддержка ECC
Нет
гарантия
3 года
CAS Latency (CL)
40
Тип модуля
DIMM
Поддержка водяного охлаждения
-
Категории: Память DDR5
2014-2025 © Radiostuff.ru — Комплексные решения для сетевого оборудования
Информационные страницы
Контакты
+7 (812) 424-33-95
Бесплатный звонок по РФ
+7 (800) 302-90-20
Офис в Санкт-Петербурге
г. Санкт-Петербург, ул. Заозерная д. 4